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名词解释:CVD(化学气相沉积)
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CVD是一种以气体状态向反应槽供应带蒸气压的材料,然后添加某种能量使其分解反应,在底板表面沉积薄膜的技术(图1)。

热CVD通过利用热量分解原料气体而成膜。比如,热分解硅烷(SiH4)后,形成多晶硅。这时如果在氧气气氛条件下使其分解,可形成二氧化硅(SiO2)。

普通的热CVD在气体供给量较多及较少的场所,厚度不均一。如果采用名为减压CVD(LPCVD)的方法,分子的平均自由行程会延长,分子容易扩散,可提高膜厚的均一性。

如果采用射频能量代替热能量,在低温条件下便可成膜。人们将这种技术称为等离子CVD。该技术通过在与底板相对的电极上施加射频,使其放电分解原料气体,然后成膜。

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钨的选择CVD

W(钨)的选择CVD经常用于半导体工艺领域,也有用于MEMS方面的先例。

通过在硅底板的氧化膜表面上添加氮化硅,利用RIE形成沟槽。在上面离子注入硅,除去氮化硅,然后在沟底的SiO2表面注入Si。如果在这种状态下,利用六氟化钨(WF6)气体进行CVD,硅会起到催化剂作用,发生表面反应,使钨沉积。

钨从沟槽底部开始沉积,只有在沟槽中钨会被选择性填埋。最后通过除去SiO2,可制成由钨形成的结构体。美国康奈尔(Cornell)大学采用该技术,试制出了制造钨的电子束源及静电透镜的MEMS电子枪。

表面被覆性较高

如果在活性粒子吸附在表面,进行薄膜制造的条件下采用CVD,则可完好覆盖凹凸及沟槽等立体结构的表面。

比如,在底板上打孔,利用贯通布线将金属膜铺至底板的里侧时,如果采用CVD,即使底板表面高低不平,也可将其表面覆盖,从而连接布线。 (end)
文章内容仅供参考 (投稿) (2009-5-25)
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