名词解释：CVD（化学气相沉积）

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欢迎访问e展厅 展厅 3 电子工业设备展厅 电路板生产设备, 分板机, 贴片机, 波峰焊, 回流焊, ... CVD是一种以气体状态向反应槽供应带蒸气压的材料，然后添加某种能量使其分解反应，在底板表面沉积薄膜的技术（图1）。 热CVD通过利用热量分解原料气体而成膜。比如，热分解硅烷（SiH4）后，形成多晶硅。这时如果在氧气气氛条件下使其分解，可形成二氧化硅（SiO2）。 普通的热CVD在气体供给量较多及较少的场所，厚度不均一。如果采用名为减压CVD（LPCVD）的方法，分子的平均自由行程会延长，分子容易扩散，可提高膜厚的均一性。 如果采用射频能量代替热能量，在低温条件下便可成膜。人们将这种技术称为等离子CVD。该技术通过在与底板相对的电极上施加射频，使其放电分解原料气体，然后成膜。 钨的选择CVD W（钨）的选择CVD经常用于半导体工艺领域，也有用于MEMS方面的先例。 通过在硅底板的氧化膜表面上添加氮化硅，利用RIE形成沟槽。在上面离子注入硅，除去氮化硅，然后在沟底的SiO2表面注入Si。如果在这种状态下，利用六氟化钨（WF6）气体进行CVD，硅会起到催化剂作用，发生表面反应，使钨沉积。 钨从沟槽底部开始沉积，只有在沟槽中钨会被选择性填埋。最后通过除去SiO2，可制成由钨形成的结构体。美国康奈尔（Cornell）大学采用该技术，试制出了制造钨的电子束源及静电透镜的MEMS电子枪。 表面被覆性较高 如果在活性粒子吸附在表面，进行薄膜制造的条件下采用CVD，则可完好覆盖凹凸及沟槽等立体结构的表面。 比如，在底板上打孔，利用贯通布线将金属膜铺至底板的里侧时，如果采用CVD，即使底板表面高低不平，也可将其表面覆盖，从而连接布线。 (end)

文章内容仅供参考 (投稿) (5/25/2009)