在需了解物体的温度分布以便分析、研究物体的结构,探测物体的内部缺陷或工作状况,进而进行故障诊断分析的场合,可通过红外成像仪以非接触方式探测被测物体目标所释放的红外辐射能量,形成整个目标对象的红外辐射分布(即温度分布)图像。与常规摄像机不同的是,大多数成像仪不是利用常规的CCD或CMOS传感元件,而是采用特殊的FPA(焦平面阵列),以感应更长的波长段。最常用的FPA类型有InSb, InGaAs, HgCdTe和QWIP等。图2为福禄克于2014年11月在Rockwell自动化展览会上所展出的 TiX1000 红外成像仪。该产品属采用Fluke Connect™技术,可与无线测试与测量工具网互联,实现对现场红外热像和数据的自动收集、记录和共享的首款高清红外热像仪,也是唯一一款可设置子窗口至240Hz帧速率,用于高级应用的手持式热像仪。其光谱测量范围为7.5 ~14 ,空间分辨率为0.6mRad,图像分辨率1024×768(标准模式)和2048×1536(超分辨率模式),帧速率为30 Hz或9Hz,NEDT(噪声等效温差)≤0.05℃(目标温度30℃下),32倍数字变焦。标准拍摄像素比常规 320×240 热像仪高 10 倍。温度测量量程-40℃~1200℃(高温型可高达2000℃),测量精度±1.5℃或±1.5%。配带5.6寸液晶显示器和DVI-D(HDMI)视频输出接口,2015年将会推出USB2.0、Gi gE Vi s i o n和RS232接口。
此外,通过选用高灵敏度的红外探测元件,红外成像仪也可用于有毒、有害、易燃介质的泄漏探测。最近,美国I R C ame r a s和L e a kSurveys公司联合发布了用于烃类气体泄漏检测的四款中波红外Ni a t ros光学气体成像仪(见图3):Ni a t r o s 320(320×256,I nSb传感器,30μm像素点距,NEDT<15mk),Niatros SD(640×512,I nSb传感器,20μm像素点距,NEDT<15mk),Niatros HD(1280×1024,I nSb传感器,12μm像素点距,NEDT<25mk)和NiatrosH D+( 1 2 8 0 × 1 0 2 4 , n B n 传感器,12μm像素点距,NEDT<25mk)。成像仪工作温度范围为-40℃~65℃。因红外传感器工作温度为-196℃或-143℃(取决于传感器材料),故这些成像仪均配有闭式循环斯特林冷却装置,MTBF可达90000h。为优化泄漏气体检测和成像,配置了LAP-DnCE(局域处理-动态对比增强)和降噪过滤装置等先进的图像处理功能。数据接口有CameraLi n k、H.264、NTSC/PAL、RS232/RS422和Gig-E可选。