|
汽车电子 |
|
| 按行业筛选 |
|
|
| 按产品筛选 |
|
|
| |
|
查看本类全部文章 |
| |
|
|
|
|
车用六路低端前置驱动器 |
|
|
作者：安森美半导体 |
|
安森美半导体的NCV7513属于FlexMOSTM产品系列中的一个系列，用于控制并保护N型逻辑电平MOSFET，包括安森美半导体新推出的SmartDiscretesTMMOSFET系列。NCV7513为32引脚小型LQFP封装，方便设计人员按其需求调整MOSFET的尺寸，可直接与控制输出的微控制器相连。安森美半导体同时还提供四路的NCV7513，产品型号为NCV7512，该产品的所有功能和控制均与六路的版本一致，差别在于NCV7512只有4个通道。
工作原理
电源引脚VCC1是小功率通道，为所有内部逻辑和控制提供电源。电源引脚VCC2为门驱动电路提供工作电源，而VDD则向SO引脚提供电源。VSS是VCC2、VDD和漏极（DRN）钳位电路的大功率电源返回路径。图1是一典型的应用原理图。
安森美半导体的NCV7513是用于汽车的可编程六路低端MOSFET前置驱动器，用于控制并保护N型逻辑电平MOSFET，包括安森美半导体新推出的SmartDiscretesTMMOSFET系列。
电路的输出受各个并行输入的“或”组合或者16位串行SPI接口的控制。这些并行输入具有独立的内部下拉电流源，可以用来实现门输出的脉宽调制（PWM）控制。SPI接口的性能包括6个输出通道控制、故障管理以及可编程刷新时间的功率限制PWM。该产品的数字输入/输出为3.3V/5.0V兼容，并且可以直接与3.3V/5.0V的微控制器相连接。
上电/掉电控制，通过监视VCC1电源，防止输出操作错误。内部上电复位（POR）电路使所有的GATx输出保持在低电平（外部MOSFETVGS≈VSS），直至有足够的电压（一般为4.2V）来有效地控制器件。一旦器件启动，所有的寄存器将初始化为其缺省状态。当VCC1电压下降到低于POR电压门限时，所有的GATx输出将为低电平，直至VCC1下降到0.7V以下。
NCV7513中的两个使能输入可以同时关闭所有的输出，并暂停所有的故障检测进程。使能1（ENA1）具有一内部下拉电阻，下拉至低电平时会产生一个软复位信号，关闭所有输出，并且Gx寄存器均被清空。使能2（ENA2）具有一内部下拉电流源，当下拉至低电平时会产生一个软复位信号，关闭所有输出，但Gx寄存器中的值仍保留。
SPI通信
NCV7513是一个16位SPI从设备，主机与多个NCV7513之间的SPI通信可以使用CSB单个寻址并行进行，或者以菊花链的形式通过其他器件使用兼容的SPI协议进行。表1列出了输入/输出寄存器及其定义，图2画出了SPI的正确时序。在SI引脚接收到命令（输入）数据时，故障（输出）数据同时通过器件的SO引脚发出。通过将CSB输入拉到低电平，主机启动通信。在CSB变成高电平时，在SI引脚处收到的16位数据将被翻译成当前命令。NCV7513同时还具备帧错误检测功能。对于合法的命令，在一个CSB帧（高-低-高）中必须包含16的倍数个SCLK时钟周期（上升-下降）。少于16个SCLK时钟周期的命令将会和SCLK时钟周期个数大于16但非16倍数的命令一样被忽略。
每一个漏极（DRNx）引脚均有一个输入钳位，以保证输入NCV7513的电压低于击穿电压。在MOSFET的漏极引脚和DRNx输入之间必须串联一个外部电阻（RDX），以限制流入DRNx的电流，但仍然可以正确进行负载开路和对地短路的检测操作。
故障处理
各个通道的DRNx输入通过串联一个电阻（RDX）连至MOSFET的漏极。这样，各个通道就可以独立监视其外部MOSFET漏极电压的故障状态。使用特殊的锁存故障类型数据进行负载诊断，包括对Vload短路（抗饱和）、负载开路和对地短路。这些数据可以通过使用16位SPI通信获得。全局故障引脚上的漏极开路输出将立即通知主机控制器：在所有/任何通道上已检测到所列出的故障。
当门输出为ON（VGS≈VCC2）时，系统对抗饱和（对Vload短路）状态进行监视。抗饱和故障的检测门限可以通过使用加载在FLTREF输入端的外部参考电压（RX1和RX2）和4个分立的内部比值组合来进行设置。这些分立的比值可以通过SPI进行选择，并且允许对每组3个输出通道的抗饱和检测门限来分别进行设置。
在GATx输出断开（VGS≈Vss）时检测到对地短路或负载开路。使用带有正比于VCC1参考电压的窗比较器，将每一个DRN输入电压与参考值进行比较。如果DRN的输入电压小于对地短路电压参考值，则系统将检测到对地短路故障。如果DRN的输入电压小于负载开路参考电压但大于对地短路电压参考值，则系统将检测到负载开路故障。
NCV7513具有独立的通道故障屏蔽和过滤定时器。这些定时器被用来减少虚假故障检测，方法是将DRNx输入的比较器输出采样安排在MOSFET漏极电压稳定之后进行。当GATx输出状态发生变化时，故障屏蔽定时器（TFM）将启动（一般为120μs）。这样就为MOSFET的操作提供了空余时间。如果在输出为ON时检测到一个故障，则故障过滤定时器（TFF）将启动（一般为17μs），并将故障报告向后推迟这一时间间隔。最后是故障刷新定时器（tFR），此定时器可以通过SPI以三个通道为一组进行选择。刷新时间间隔有10ms和40ms两个选项。当设备经过抗饱和故障并经历刷新时间后，器件将重新启动输出。如果故障条件依然存在，此刷新间隔将会被无限重复，同时，通过发送相应的SPI命令，也可以关闭每条通道各自的故障刷新定时器。
与SmartDiscretesTM MOSFET的配合使用
SmartDiscretesTM是先进的功率MOSFET系列，采用了安森美半导体最新的MOSFET处理技术HDPlus，以达到最低的导电性，同时将多种保护特性整合于单片内。NID500xN和NID600xN整合了温度和电压过载保护功能。
当其和NCV7513前置驱动器一起使用时，导致MOSFET损坏的负载短路情况将得以避免。为了达到此目的，首先需要通过前置驱动器来控制流过MOSFET的电流，此电流将会导致MOSFET的温度上升。如果需要的话，内部集成的温度控制电路会在温度到达危险值之前断开MOSFET。SmartDiscretesTM家族的产品同时整合了漏极－门之间的钳位，以使这些产品能够经受住由于MOSFET雪崩效应而产生的高能量。针对突发的电压瞬变，此钳位电路也为产品提供了额外的安全余量。产品通过门－源极之间的钳位，以达到静电放电（ESD）保护。
同时，SmartDiscreteTM器件还提供47V、55V和65V有源钳位以及一系列保护特性。与NCV7513配合使用，NID5005N、NID6005N、NIF5006N和NIF6006N将发挥出最佳的性能。(end)
|
|
| 文章内容仅供参考
(投稿)
(如果您是本文作者，请点击此处)
(6/5/2010) |
|
| 安森美半导体(ON Semiconductor)联系方式：
|
| 网址： |
http://www.onsemi.cn
|
电话：86-21-5131-7168 |
| 地址： |
中国·上海·上海市张江高科技园区祖冲之路887弄88号5楼东翼 邮编201203 |
|
|
|
对 汽车电子 有何见解？请到 汽车电子论坛 畅所欲言吧！
|
